发明名称 | 具有P型浮置栅极的非易失性存储器的制造方法 | ||
摘要 | 一种具有P型浮置栅极的非易失性内存的制造方法,其首先在一基底上形成一隧穿层,并且在隧穿层上形成一第一多晶硅层,第一多晶硅层暴露部分基底。然后,在暴露的部分基底中形成一埋入式漏极,再于埋入式漏极上方的隧穿层上形成一绝缘结构。之后,在第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层,其中第一多晶硅层与第二多晶硅层共同作为一浮置栅极。接着,在第二多晶硅层中注入一P型离子。并且依序于浮置栅极上形成一介电层以及一控制栅极。之后,利用一热工艺,以使第二多晶硅层中的P型离子扩散至第一多晶硅层。 | ||
申请公布号 | CN1287446C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
申请号 | CN02119844.6 | 申请日期 | 2002.05.15 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林宏穗;邹年凯;卢道政;张国华 |
分类号 | H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1.一种具有P型浮置栅极的非易失性存储器的制造方法,其特征是,该方法包括:在一基底上形成一隧穿层;在该隧穿层上形成图案化的一第一导电层,该第一导电层暴露部分该基底;在暴露的部分该基底中形成一埋入式漏极;在该埋入式漏极上方的该隧穿层上形成一绝缘结构;在该第一导电层的表面上形成图案化的一第二导电层,其中该第一导电层与该第二导电层共同作为一浮置栅极;进行一P型离子注入步骤,以在该第二导电层中注入一P型离子;在该第二导电层与该绝缘结构的表面形成一介电层;以及在该介电层上形成一控制栅极。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |