| 发明名称 | 具有增强的共模抑制的薄膜声耦合变压器 | ||
| 摘要 | 薄膜声耦合变压器(FACT)(200)具有第一(106)和第二(108)去耦层叠体声谐振器(DSBAR)。每个DSBAR具有下部薄膜体声谐振器(FBAR)(110)、在下部FBAR顶部的上部FBAR(120)和在它们之间的声去耦器(130)。每个FBAR具有对置的平面电极(112，114)和在电极之间的压电元件(116)。第一电路(141)互连第一DSBAR和第二DSBAR的下部FBAR(110，150)。第二电路(142)互连第一DSBAR和第二DSBAR的上部FBAR(120，160)。在至少一个DSBAR中，声去耦器和与该声去耦器相邻的每个下部FBAR和上部FBAR的一个电极构成寄生电容(C<SUB>p</SUB>)。该FACT另外还具有与该寄生电容并联电连接的电感器(180)。该电感器提高FACT的共模抑制比。 | ||
| 申请公布号 | CN1871768A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200480030889.2 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 阿瓦戈科技通用IP（新加坡）股份有限公司 | 发明人 | J·D·拉森三世;S·L·艾利斯;N·萨克西克 |
| 分类号 | H03H9/58(2006.01) | 主分类号 | H03H9/58(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;魏军 |
| 主权项 | 1、一种薄膜声耦合变压器(FACT)，包括：第一去耦层叠体声谐振器(DSBAR)和第二DSBAR，每个DSBAR包括：下部薄膜体声谐振器(FBAR)和上部FBAR，该上部FBAR层叠在该下部FBAR的顶上，每个FBAR包括对置的平面电极和在该电极之间的压电元件，和在FBAR之间的声去耦器；互连该下部FBAR的第一电路；和互连该上部FBAR的第二电路；其中：在至少一个DSBAR中，该声去耦器、与该声去耦器相邻的下部FBAR的一个电极以及与该声去耦器相邻的上部FBAR的一个电极构成寄生电容；和该FACT另外包括与该寄生电容并联电连接的电感器。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||