非易失性存储器的制造方法

摘要

一种非易失性存储器的制造方法，其先在基底上形成绝缘材质的电荷陷阱层，以及作为栅极前身的长条状导电层，再在长条状导电层之间的基底中形成埋入式位线，其中埋入式位线与长条状导电层之间相隔有一段距离。接着在长条状导电层的侧壁形成高介电常数间隙壁，再定义长条状导电层以形成栅极，然后在基底上方形成与栅极电性连接的字线。其中，高介电常数间隙壁的材质具有足够高的介电常数，且高介电常数间隙壁具有足够的宽度，使此非易失性存储器在操作时所形成的信道可延伸至高介电常数间隙壁下方，且与埋入式位线电性连接。

主权项

1.一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一电荷陷阱层；在该电荷陷阱层上形成数个长条状导电层；在该些长条状导电层之间的该基底中形成数条埋入式位线，其中每一埋入式位线与其相邻的一长条状导电层之间相隔有一段距离；在各长条状导电层的侧壁形成一高介电常数间隙壁；定义该些长条状导电层成为数个栅极；在该基底上方形成电性连接该些栅极的数条字线，其中，该高介电常数间隙壁的材质具有一介电常数，且该高介电常数间隙壁具有一宽度，使得该非易失性存储器在操作时所形成的一信道可延伸至该高介电常数间隙壁下方，且与该埋入式位线电性连接。