| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，在由半导体元件、多层布线层、接合凸垫(204)、钝化膜(206)等形成的晶片(202)上涂敷缓冲涂敷膜(208)之后，通过曝光、显影，对缓冲涂敷膜(208)图形化，将缓冲涂敷膜(208)中位于接合凸垫(204)、划线区域(210)上的部分、以及位于外周区域(218)上的部分除去，形成开口部(208a)。然后，在晶片(202)的表面上通过粘接糊(220)粘贴表面保护带(212)的状态下，采用研磨液对晶片的背面进行研磨。在外周区域(218)中包含划线区域(210)的开口部(208a)采用粘接糊(220)堵塞，不使研磨液侵入。从而可以防止在晶片的背面研磨工艺中所产生的研磨屑从晶片的周边部侵入。 | ||
| 申请公布号 | CN1287435C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN03149193.6 | 申请日期 | 2003.06.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 濑尾晓;松田隆幸;南出隆广 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征是包括在形成了半导体元件、布线层的晶片的表面一侧上形成接合凸垫的工艺(a)；在上述工艺(a)之后，在所述晶片的所述表面一侧上形成具有开口部分的钝化膜的工艺(b)，让所述接合凸垫中一部分区域位于该开口部分中；在所述工艺(b)之后，堆积缓冲涂敷膜的工艺(c)，让所述缓冲涂敷膜覆盖所述钝化膜中的一部分；在所述缓冲涂敷膜上形成开口部分的工艺(d)，让所述晶片的与其外周缘向内侧相距给定距离范围内的外周区域、用于分离芯片的划线区域以及所述接合凸垫中一部分区域的各区域位于该开口部分中；在所述工艺(d)之后，采用粘接用部件在所述晶片的所述表面一侧上粘接表面保护带的工艺(e)；以及在所述工艺(e)之后，对所述晶片的与所述表面一侧相反的背面一侧进行研磨的工艺(f)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||