发明名称 有效减少半导体晶片表面上的污物颗粒的方法
摘要 本发明提供一种有效减少半导体片表面上的污物颗粒的方法。本发明方法的主要步骤包括:半导体晶片表面上粘贴电子级胶粘带;从半导体晶片表面撕去胶粘带;和用去离子水漂洗或冲洗已经撕去胶粘带的半导体晶片表面。
申请公布号 CN1868620A 申请公布日期 2006.11.29
申请号 CN200510026259.4 申请日期 2005.05.27
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 颜进甫;刘春阳;戴海燕
分类号 B08B11/00(2006.01);B08B7/04(2006.01);B08B1/00(2006.01);B08B3/00(2006.01);H01L21/302(2006.01) 主分类号 B08B11/00(2006.01)
代理机构 上海新高专利商标代理有限公司 代理人 刘名华;楼仙英
主权项 1、有效减少半导体晶片表面上的污物颗粒的方法,在半导体晶片表面上具有其它破碎的半导体晶片碎屑造成的污物颗粒,方法包括以下步骤:(1)半导体晶片表面上粘贴胶粘带,胶粘带覆盖整个半导体晶片表面,使胶粘带中的树脂粘结半导体晶片表面上的污物颗粒,胶粘带与半导体晶片表面上的比较大的污物颗粒之间的粘结力大于污物颗粒与半导体晶片表面之间的相互吸引力,同时改变半导体晶片表面上的污物颗粒表面的特性,使其具有更亲水的基团;(2)撕去步骤(1)粘贴在半导体晶片表面上的胶粘带,由于胶粘带与半导体晶片表面上的比较大的污物颗粒之间的粘结力大于污物颗粒与半导体晶片表面之间的相互吸引力,因而在撕去胶粘带时,粘结在胶粘带上的半导体晶片表面上的比较大的污物颗粒与胶粘带一起被从半导体晶片表面上去除,在半导体晶片表面上只残留下比较小的污物颗粒;但是,所粘贴的胶粘带中的树脂已经改变了半导体晶片表面上比较小的污物颗粒表面的特性,使其具有更亲水的基团,去除所粘贴的胶粘带后,具有氢键和具有强大的表面张力的去离子水与表面具有更亲水基团的比较小的污物颗粒作用,由此使去离子水与比较小的污物颗粒之间的相互作用力大于比较小的污物颗粒与半导体晶片表面之间的相互吸引力,所以比较小的污物颗粒容易被去离子水漂洗或冲洗掉;(3)用去离子水漂洗或冲洗半导体晶片表面,去除半导体晶片表面上的比较小的污物颗粒。
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