一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法

摘要

本发明公开了一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法，包括下列步骤：依靠氢气的强还原能力，并使用惰性气体、卤素混合气源进行干法去胶，以及配合湿法化学清洗操作和超临界二氧化碳液体清洗操作，实现针对低介电常数材料的去胶操作。在充分保证移除化学有机物的前提下，尽可能的减少低介电常数材料的损失，保护衬底材料。

主权项

1、一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法，其特征在于包括以下步骤：(1)使用氢气、惰性气体、卤素混合气源对带有光刻胶的硅片进行干法去胶；(2)使用氨水、双氧水、去离子水进行湿法化学清洗操作；(3)使用超临界二氧化碳进行去胶清洗操作；(4)使用去离子水清洗硅片，完成去胶工艺。