摘要 |
<p>Полезная модель относится к области мощных полупроводниковых приборов, конкретно - к высоковольтным быстродействующим тиристорам, и может быть использована для создания элементной базы преобразовательных устройств. Решаемой задачей является упрощение конструкции и уменьшение потерь мощности за счет уменьшения падения напряжения во включенном состоянии, при сохранении высокого быстродействия по включению и выключению. Задача решается мощным интегральным тиристором с полевым управлением, содержащим по-меньшей мере один кремниевый чип, состоящий из множества параллельно электрически соединенных микротиристорных n<Sup>+</Sup>pnp<Sup>+</Sup> ячеек, включающих n<Sup>+</Sup>р-эмиттер, р-базу, n-базу, и nр<Sup>+</Sup>-эмиттер, металлические контакты к n<Sup>+</Sup>p-эмиттеру и р-базе, выведенные к соответствующим токоподводящим шинам, и один мощный полевой транзистор с поликремниевым затвором, включенный между общими выводами n<Sup>+</Sup>p-эмиттеров и р-баз ячеек. 1 сам. п. ф-лы, 1 рис., 1 п.</p> |