| 摘要 |
Un procédé de fabrication de films minces de matériaux semiconducteurs, par implantation d'ions dans un substrat composé d'au moins deux éléments différents, dont l'un au moins peut former une phase gazeuse en se liant avec lui-même et/ou avec des impuretés, comporte les étapes suivantes :(1) bombardement d'une face du substrat avec des ions, afin d'implanter ces ions d'une espèce lourde non gazeuse en une concentration suffisante pour créer dans le substrat une couche de microcavités renfermant une phase gazeuse formée par l'élément du substrat ;(2) mise en contact intime de cette face du substrat avec un raidisseur ; et(3) fracture au niveau de la couche de microcavités, par l'application d'un traitement thermique et/ou d'une contrainte de détachement. |
