发明名称 Method of forming a tungsten layer and method of forming a semicondcutor device using the same
摘要
申请公布号 KR100648252(B1) 申请公布日期 2006.11.24
申请号 KR20040095863 申请日期 2004.11.22
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/205;H01L21/3205 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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