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发明名称 Herstellungsverfahren von Barriereschicht für Kupfer-Verbindungsstruktur
摘要
申请公布号 DE60031191(D1) 申请公布日期 2006.11.23
申请号 DE20006031191 申请日期 2000.02.28
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTORS INC. 发明人 DENNING, DEAN J.;LOOP, DANIEL J.;GARCIA, SAM S.;HAMILTON, GREGORY NORMAN;SMITH, BRADLEY P.;ISLAM, MD. RABIUL;ANTHONY, BRIAN G.
分类号 C23C14/14;H01L21/285;C23C14/34;C23C14/50;C23C14/56;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/532 主分类号 C23C14/14
代理机构 代理人
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