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发明名称 3T1D Memory Cells Using Gated Diodes and Methods of Use Thereof
摘要
申请公布号 KR100646972(B1) 申请公布日期 2006.11.23
申请号 KR20050000361 申请日期 2005.01.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/82;G11C11/36;G11C11/405;G11C11/407;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/102;H01L27/108;H01L29/739 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
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