SATURABLE ABSORBER FOR A PASSIVELY MODE-LOCKED LASER

摘要

Vorgestellt wird ein durch hohe Laserlichtintensitäten sättigbarer Absorber (30) als Bestandteil eines passiv modengekoppelten Lasers. Der Absorber (30) zeichnet sich dadurch aus, dass er aus einer Halbleiter-Schichtstruktur mit einem oder mehreren Quantenfilmen bzw. Quantentöpfen aufgebaut ist, jeder Quantentopf Barriereschichten (34.1, ..., 34.N) aufweist, die eine Topfschicht (36.1, ..., 36. N-1) begrenzen und die sich mit der Topf Schicht (36.1, ..., 36. N- 1) in einer Wachs tumsr ich tung der Halbleiter-Schichtstruktur abwechseln, die Dicke der Topfschicht (36.1, ..., 36. N-1) so dimensioniert ist, dass sie wenigstens ein oberes Energieniveau und wenigstens ein unteres Energieniveau für Elektronen aufweist, deren Energiedifferenz kleiner als ein Lei tungs -Bandkantenoffset zwischen einer Barriereschicht (34.1, ..., 34.N) und einer benachbarten Topfschicht (36.1, ..., 36. N-1) ist, das untere Niveau durch eine geeignete Dotierung mit Elektronen gefüllt ist, die durch Wechselwirkung mit Photonen, deren Energie der Energiedifferenz entspricht, zu Intersubbandübergängen zwischen dem unteren Energieniveau und dem oberen Energieniveau fähig sind, und die Energiedifferenz der Energie von Photonen einer Emissionswellenlänge des Lasers entspricht.