一种电致发光矩阵器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种电致发光矩阵器件的制备方法，使用第二电极隔离柱技术制备第二电极：其步骤，制备第一电极及有机层并在有机层上制备一层光刻保护层；之后在保护层上制备一层绝缘光刻胶，厚度大于等于1微米；按照欲制备的第二电极的条纹宽度及条纹间隔距离要求，使用光刻法对光刻胶层进行刻蚀；清洗烘干后形成与第一电极条纹垂直的第二电极隔离柱，在隔离柱间制备第二电极。在有机层制备完成后使用光刻法制备第二电极隔离柱来隔离第二电极条纹，省略了掩膜工序，从而解决了掩膜法分辨率底，线条粗糙、对板困难、易对有机层造成物理损伤等问题。

主权项

1.一种电致发光矩阵器件的制备方法，在玻璃衬底上使用光刻法制备第一电极，在第一电极上旋涂或蒸镀有机层，在有机层上制备绝缘光刻保护薄层，在绝缘光刻保护薄层上制备第二电极；其特征在于，制备第二电极的具体步骤为：(1)在绝缘光刻保护薄层上制备一层绝缘光刻胶，厚度大于等于1微米；(2)按照欲制备的第二电极的条纹宽度及条纹间隔距离要求，使用光刻法对光刻胶层进行刻蚀；(3)使用常规方法清洗、烘干并冷却后，剩余的绝缘光刻胶即形成与第一电极条纹垂直的沟道——第二电极隔离柱；(4)在第二电极隔离柱之间使用蒸镀法制备第二电极，厚度小于第二电极隔离柱高度。