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发明名称 METHODS OF FORMING DOPED AND UN-DOPED STRAINED SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR FILMS BY GAS-CLUSTER ION IRRADIATION
摘要
申请公布号 EP1723667(A2) 申请公布日期 2006.11.22
申请号 EP20050713405 申请日期 2005.02.14
申请人 EPION CORPORATION 发明人 BORLAND, JOHN O.;HAUTALA, JOHN J.;SKINNER, WESLEY J.;TABAT, MARTIN D.
分类号 H01L21/00;H01L21/265;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/322;H01L31/0328 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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