发明名称 用于高密度多端口缓存器的电流式感测装置及其方法
摘要 本发明提供一种用于高密度多端口缓存器的电流式感测装置及其方法,其应用于逻辑处理中,它通过一仿真单元(dummy cell)的一仿真字符线定义出一参考电流值,并将该参考电流输出,再利用一多端缓存单元(multiple-portregister file cell)发出一0或1的选择讯号,并依据该选择讯号及该参考电流而输出一单元电流;以及该单元电流及该参考电流传送至一电流比较放大器(current comparator amplifier),它感应该单元电流及该参考电流的差值,并输出以进行小容量区段刻录(session at once,SAO)。由于该差值仅有正、负参考电流两种可能,故可加快电流比较放大器的感应时间。
申请公布号 CN1866390A 申请公布日期 2006.11.22
申请号 CN200510025998.1 申请日期 2005.05.19
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 郭矩阳
分类号 G11C7/00(2006.01);G11C29/00(2006.01) 主分类号 G11C7/00(2006.01)
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 余明伟
主权项 1、一种用于高密度多端口缓存器的电流式感测装置,其应用于在逻辑处理中,其特征在于:包括一多端缓存单元,它接收一0或1的选择讯号,并依据该选择讯号输出一单元电流;一仿真单元,它通过一仿真字符线定义出一参考电流并将的输出;以及一电流比较放大器,它对该单元电流及该参考电流进行感应,比较出其二者的差值,并将其输出以进行小容量区段刻录。
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号