| 发明名称 | 一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种去除晶片表面蚀刻残留物的方法，包含有：于该晶片上沉积一低介电常数层；于该低介电常数层上形成一金属层；于该金属层上形成一光致抗蚀剂层，包含一图案；将该光致抗蚀剂层的该图案转移至该金属层中，形成一金属图案；去除该光致抗蚀剂层；利用该金属图案作为蚀刻屏蔽，等离子体干蚀刻该低介电常数层，以形成一开孔，其中该等离子体干蚀刻导致该开孔沉积有残留物；进行一第一湿式处理，以软化该残留物；进行一干式等离子体处理，以裂解该残留物；以及进行一第二湿式处理，以完全去除该残留物。 | ||
| 申请公布号 | CN1866477A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200510072951.0 | 申请日期 | 2005.05.18 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 翁正明;林苗均;黄俊仁 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);G03F7/42(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种去除晶片表面蚀刻残留物的方法，包含有：于该晶片上沉积一低介电常数层；于该低介电常数层上形成一金属层；于该金属层上形成一光致抗蚀剂层，包含一图案；将该光致抗蚀剂层的该图案转移至该金属层中，形成一金属图案；去除该光致抗蚀剂层；利用该金属图案作为蚀刻屏蔽，等离子体干蚀刻该低介电常数层，以形成一开孔，其中该等离子体干蚀刻导致该开孔沉积有残留物；进行一第一湿式处理，以软化该残留物；进行一干式等离子体处理，以裂解该残留物；以及进行一第二湿式处理，以完全去除该残留物。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||