| 发明名称 | 完全耗尽型绝缘衬底硅CMOS逻辑 | ||
| 摘要 | 在绝缘衬底硅CMOS存储器装置中使用提取器植入区。该提取器区域被反向偏压以便从部分耗尽的存储器单元的体区中去除少数载流子。这使得该体区被完全耗尽而没有不利的浮体效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1868068A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200480029675.3 | 申请日期 | 2004.10.05 |
| 申请人 | 微米技术股份有限公司 | 发明人 | L·福布斯 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种用于在具有基片的绝缘衬底硅器件中生成完全耗尽体结构的方法，该方法包括：提供与所述体结构耦合的提取器接触件；以及提供一提取器电压，使得所述提取器接触件被反向偏压且所述体结构中的少数载流子被去除。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||