发明名称 溅射靶和其制造方法
摘要 本发明的目的是提供一种不含会造成环境污染的Cr的溅射靶,该溅射靶能形成具有很少颗粒的薄膜。本发明采用含有5-30wt%的钨;Al和Ti中的至少一种,其总含量为0.1-10wt%;氧含量为0.05wt%或更低;余量基本为Ni的溅射靶。优选溅射靶的平均颗粒粒径为100μm或更小,溅射靶的表面粗糙度Ra为10μm或更小。采用上述溅射靶进行溅射而得到的膜中的颗粒粒径为3μm或更大,颗粒数目小于2粒颗粒/cm<SUP>2</SUP>。
申请公布号 CN1865490A 申请公布日期 2006.11.22
申请号 CN200610059151.X 申请日期 2006.03.15
申请人 住友金属矿山株式会社 发明人 森本敏夫;远北正和;渡边宏幸
分类号 C23C14/34(2006.01);C23C14/14(2006.01);C22F1/10(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 高龙鑫
主权项 1.一种溅射靶,其含有5-30wt%的W;Al和Ti中的至少一种,其总含量为0.1-10wt%;氧含量为0.05wt%或更低;余量基本为Ni。
地址 日本东京都