发明名称 |
提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺 |
摘要 |
提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低,无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺,包括以下步骤:在纯度≥99.99%的钨酸钡BaWO<SUB>4</SUB>粉末中,加入占最后产物的摩尔百分比为0.1~5%的K<SUB>2</SUB>WO<SUB>4</SUB>粉末和摩尔百分比为0.1~10%的稀土氧化物粉末;按上述比例准确称量原料,混匀后放入坩埚,在炉中加热至熔点1475℃~1495℃,从坩埚顶部放入籽晶于熔体中,提拉、旋转,等径生长钨酸钡单晶。本发明可获得高光学质量的大尺寸单晶。同样条件下,采用本发明后稀土离子吸收系数比未掺K<SUP>+</SUP>时提高一倍以上;改善了发光性能,提高了效率,增大了激光的输出功率;晶体的上转换发光性能增强。 |
申请公布号 |
CN1865537A |
申请公布日期 |
2006.11.22 |
申请号 |
CN200610076273.X |
申请日期 |
2006.04.21 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
臧竞存;邹玉林;李晓;谢丽艳;吕超 |
分类号 |
C30B29/32(2006.01);C30B15/04(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01) |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
1、一种提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺,其特征在于,它包括以下步骤:1)、在纯度≥99.99%的钨酸钡BaWO4粉末中,加入占最后产物的摩尔百分比为0.1~5%的K2WO4粉末和占最后产物的摩尔百分比为0.1~10%的稀土氧化物粉末;2)、将上述原料按上述比例准确称量,混匀后放入坩埚,在炉中加热至熔点1475℃~1495℃,从坩埚顶部放入籽晶于熔体中,提拉、旋转,等径生长钨酸钡单晶。 |
地址 |
100022北京市朝阳区平乐园100号 |