| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 在Ⅲ族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层插入位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。 | ||
| 申请公布号 | CN1286230C | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN01812310.4 | 申请日期 | 2001.07.03 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 渡边大志;伊藤润;浅见慎也;柴田直树 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/343(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈长会 |
| 主权项 | 1、一种发射波长为360nm-550nm的光的III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括发光层，该发光层包括：至少一个阱层，所述阱层包括厚度为3.5-5nm的InGaN层；和多个AlGaN层，其形成在所述至少一个阱层的相反的各侧面上，至少一层所述AlGaN层包括阻挡层；该发光器件还包括在所述发光层上形成的p-型接触层，其中所述AlGaN层中最接近p-型接触层的AlGaN层的厚度比其他所述AlGaN层的厚度厚10-30％。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||