具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法及结构

摘要

一种具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法及结构，此方法是于形成闪存元件的控制栅极之后，在每一栅极结构的侧壁形成间隙壁，再于基底上形成另一介电层，覆盖控制栅极。随后，图案化此介电层以及位于控制栅极下方的介电层，以在两相邻的控制栅极之间形成一自行对准接触窗开口，暴露出基底中的位线。最后，再于自行对准接触窗开口中填入一导电材料。

主权项

1.一种具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法，其特征是，该方法包括：在一基底上形成多条第一堆栈层，每一第一堆栈层是由一栅介电层以及一导电层所构成；在每一第一堆栈层两侧的该基底中分别形成一位线；于该些第一堆栈层之间填入一第一介电层；以垂直于该些位线的方向图案化该些第一堆栈层的该些导电层，而形成多个浮置栅极；于该些浮置栅极之间填入一第二介电层；在沿垂直于位线的方向在所述浮置栅极及浮置栅极之间的第一介电层上形成多条第二堆栈层，其中每一第二堆栈层是由一介电薄层、一控制栅极以及一顶盖层所构成；在每一第二堆栈层的侧壁形成一间隙壁；在该基底上形成一第三介电层，覆盖该些第二堆栈层；图案化该第三介电层与该第一介电层，以在其中两相邻的该些第二堆栈层之间形成一自行对准接触窗开口，暴露出对应的其中一位线；以及在该自行对准接触窗开口中填入一导电材料。