| 发明名称 | 表面处理组合物及其用途 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面处理组合物，它包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN1285687C | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN03100996.4 | 申请日期 | 1999.06.22 |
| 申请人 | 不二见株式会社 | 发明人 | 井上穣;伊东真时 |
| 分类号 | C09G1/18(2006.01) | 主分类号 | C09G1/18(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 余岚 |
| 主权项 | 1.表面处理组合物在处理电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的表面中的用途，所述表面处理组合物包括水和至少一种作为添加剂的化合物，所述化合物选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物，在表面处理组合物中不含磨料，在抛光前它起表面处理的作用，或在抛光后起漂清表面的作用。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||