发明名称 |
图案转移的方法 |
摘要 |
一种图案转移的方法,在图案光阻形成在底材上后,先对图案光阻进行一硬化程序,接着才将硬化处理过的图案光阻的图案转移至底材。在此,常见的硬化程序是硅化程序,并且可以只硬化图案光阻的顶部,也可以硬化图案光阻的顶部与侧壁。并且,可以在执行硬化程序之前,先改变图案光阻高度与缩小图案光阻临界尺寸。显然地,由于硬化处理过的图案光阻的蚀刻阻值大于图案光阻材料的蚀刻阻值,可以有效地减少图案光阻在图案转移程序所受到的蚀刻,进而克服图案失真的问题,以及克服知技术为避免光阻被蚀刻耗尽而必需使用较厚的图案光阻时,图案光阻的临界尺寸受限于显影能力而不能进一步降低的问题。 |
申请公布号 |
CN1285968C |
申请公布日期 |
2006.11.22 |
申请号 |
CN02124620.3 |
申请日期 |
2002.06.14 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
方震宇;黄志贤;林嘉祺;黄瑞祯 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01);G03F7/16(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
1.一种图案转移的方法,其特征在于,包括:形成一光阻层在一底材上;图案化该光阻层而形成一第一图案光阻,该第一图案光阻包含多个光阻结构:处理该第一图案光阻以减小任一该光阻结构的厚度与宽度;以一硬化程序处理该第一图案光阻而形成一第二图案光阻,在此该第二图案光阻的蚀刻阻值大于该第一图案光阻的蚀刻阻值;和使用该第二图案光阻图案化该底材。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |