| 发明名称 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法。该方法包括抽空充气、掺杂及等径生长工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1－50mm。经本方法生产的区熔硅单晶，降低了硅单晶的径向及轴向电阻率不均匀性问题，提高了硅单晶的稳定性及可靠性。从而满足了用户对气相掺杂区熔硅单晶的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN1865531A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200610013497.6 | 申请日期 | 2006.04.21 |
| 申请人 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 发明人 | 沈浩平;刘为钢;高树良;王聚安;昝兴立;李翔 |
| 分类号 | C30B13/12(2006.01) | 主分类号 | C30B13/12(2006.01) |
| 代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王凤英 |
| 主权项 | 1.一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法，包括抽空充气、掺杂及等径生长工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1-50mm。 | ||
| 地址 | 300384天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号 | ||