| 发明名称 | 大规模集成半导体存储器和制造该半导体存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种带有柱形结构的EPROM单元的高集成半导体存储器和涉及一种用于制备该半导体存储器的方法，该EPROM单元具有一种浮栅和一种控制栅。在此该EPROM单元是如此细地构成的，使得它是完全耗尽的。这种优先采用的分栅快速EPROM单元的控制栅或者双栅快速EPROM单元的控制栅是由p<SUP>+</SUP>掺杂的半导体材料组成的，使得该完全耗尽的柱体具有一种很好的低阈特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1286182C | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN96199545.9 | 申请日期 | 1996.12.11 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | M·克尔伯 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1.具有一种柱形n沟道EPROM单元的大规模集成半导体存储器，具有一种在该柱体(4)根部延伸的，n+掺杂的源区(6)和一种安置在柱体(4)上的n+掺杂的漏区(16)，具有一种n+掺杂的浮栅和一种控制栅，在此是这样来选择柱体(4)的横向尺寸的，使该柱体(4)在n沟道EPROM单元的无电势状态下自由载流子是完全耗尽的，在此该浮栅是安置在该柱体(4)的侧壁上和包围柱体(4)，并且在此该控制栅(15)包围柱体(4)和浮栅，以及至少在一分区域中是与一个位于其间的绝缘层安置在柱体(4)的侧壁上的，其特征在于，该控制栅(15)是由p+掺杂的半导体材料形成的。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||