NAND型双位氮化物只读存储器及制造方法

摘要

本发明涉及一种NAND型双位氮化物只读存储器及制造方法，首先，提供一基板。接着，形成数条相互隔开而平行的隔离层于基板中。然后，形成数条字符线和数个ONO堆栈结构于基板之上，这些字符线相互隔开而平行，并与这些隔离层垂直交错，各ONO堆栈结构形成于对应的字符线及基板之间。接着，形成数条非连续性位线于这些字符线之间及这些隔离层之间的基板中。本发明的NAND型双位NROM的结构与互补性金氧化半导体(CMOS)相似，且其制作工艺顺序与CMOS的制作工艺顺序兼容。

主权项

1.一种NAND型双位氮化物只读存储器，其特征在于，至少包括：一基板；数个隔离层，以相互隔开而平行的方式形成于所述基板中；数条字符线，以相互隔开而平行的方式形成于所述基板之上，所述字符线与所述隔离层垂直交错；数个氧化物/氮化物/氧化物堆栈结构，各形成于对应的所述字符线及所述基板之间；以及数条非连续性位线，形成于所述字符线之间的所述基板中，以及所述隔离层之间的所述基板中。