利用离子注入方法制作混合电路元件电容器的方法

摘要

一种利用离子注入方法制作混合电路元件电容器的方法。此方法先在已形成隔离区的硅基底上形成一层多晶硅层，接着对多晶硅层进行一离子注入步骤，将氧离子注入多晶硅层中的设定深度，随后进行回火步骤，使注入多晶硅层的氧离子与硅离子产生反应，而于多晶硅层中形成一层氧化硅层。最后，定义氧化硅层与多晶硅层，使氧化硅层上的多晶硅层作为电容器上电极与氧化硅层下的多晶硅层作为电容器下电极，以完成混合电路元件的电容器。

主权项

1、一种利用离子注入方法制作混合电路元件其电容器的方法，其特征为：包括：提供一基底；于该基底上形成一多晶硅层；对该多晶硅层进行一离子注入步骤，以注入氧离子于该多晶硅层中；进行回火工艺，使该多晶硅层中的硅离子与氧离子产生反应，而于该多晶硅层中形成氧化硅层；以及定义该氧化硅层与该多晶硅层，使该氧化硅层上的该多晶硅层作为该电容器的一上电极与该氧化硅层下的该多晶硅层作为该电容器的一下电极。