| 发明名称 | 半导体热处理用反射板和该半导体热处理用反射板的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体热处理用反射板，通过抑制异物的附着、反应气体的产生来防止破裂、变形。在在将由从碳、SiC、TiN、Au、Pt或热膨胀石墨薄片中任选一种的无机材料构成的板状体(2)密闭配置在圆板状或环状的透光材料构成的板状体(3)内的半导体热处理用反射板(1)中，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面(2a)的表面粗糙度Ra为0.1至至10.0μm，并且在该表面上形成从内周端到外周端的直线状沟(2c)。 | ||
| 申请公布号 | CN1286155C | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN03123303.1 | 申请日期 | 2003.03.29 |
| 申请人 | 东芝陶瓷株式会社;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岛贯和彦;本间浩幸;斋藤纪彦;横山秀幸;斋藤孝规;中尾贤 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H05B3/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏 |
| 主权项 | 1.一种半导体热处理用反射板，将由从碳、SiC、TiN、Au、Pt或热膨胀石墨薄片中任选一种的无机材料构成的环状板状体密闭配置在由透光材料构成的环状中空板状体内，其特征在于：与所述透光材料构成的板状体相接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1至10.0μm，并且在该表面上形成从内周端到外周端的直线状沟。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||