| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，吸收由电子功能部件和底部基板之间、或电子功能部件间的热膨胀系数的不同引起的位置偏移，在电极连接部分不会产生剥离和裂纹。即使因热膨胀系数的不同而产生电子功能部件(12)和电子功能部件(13)的变形量不同，且电子功能部件(12)侧的电极(16)和电子功能部件(13)侧的电极(16)的相对位置关系产生位置偏移，设在插入物(20)的上下方的弹性触点(30、30)也会弹压位置偏移后的电极(16、16)。插入物(20)吸收由热膨胀系数的不同引起的位置偏移，始终维持电子功能部件(12)侧的电极(16)和电子功能部件(13)侧的电极(16)的导通连接状态，可防止在电极连接部分产生的剥离及裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN1866629A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200610084761.5 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 添田薰;高井大辅 |
| 分类号 | H01R13/24(2006.01);H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01R13/24(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，具有：电子功能部件，设置有多个电极；底部基板，在表面布线有多个图形电极；以及插入物，具有设置在上下两面且相互导通连接的多个弹性触点；上述电子功能部件的电极和上述底部基板的图形电极经上述插入物导通连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||