p型单晶硅片的表面处理方法

摘要

一种p型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，然后对p型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。

主权项

1、一种p型单晶硅片的表面处理方法，其特征在于该方法按以下的顺序步骤进行：(1)对p型单晶硅片进行前处理：除其表面的灰尘、油渍和二氧化硅及其他杂质；(2)用电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，将p型多孔单晶硅片置于乙醇中清洗，然后取出在室温下干燥；(3)对p型多孔单晶硅片进行后处理：(31)按以下组分和重量百分比配制后处理溶液，有机强酸： 20-70％，醇： 30-80％，其中：有机强酸为盐酸、硝酸、硫酸和磷酸任意一种酸，盐酸、硫酸、硝酸和磷酸的浓度为3-6％：或上述4种酸中任意两种酸的混合，其混合重量百分比分别是10-35％，10-35％；或上述4种酸中任意三种酸的混合，其混合重量百分比分别是7-25％，7-20％，6-25％；或上述4种酸的混合，其混合重量百分比分别是5-15％，5-20％，5-15％，5-20％；醇为乙醇、乙二醇、丙三醇和正丁醇中的任一种醇；或上述4种醇中任意两种醇的混合，其混合重量百分比分别是15-40％，15-40％；或上述4种醇中任意三种醇的混合，其混合重量百分比分别是10-25％，10-25％，10-30％；或上述4种醇的混合，其混合重量百分比分别是7-20％，8-20％，8-20％，7-20％；(32)将配制的后处理溶液置于容器内，把p型多孔单晶硅片放入后处理溶液中，在紫外光的照射下静置30-60分钟，紫外灯工作电压为200-250v，紫外灯的功率为250-400W，紫外灯的灯泡与p型多孔单晶硅片上表面之间距离5-20cm；(33)将用紫外灯照射后的p型多孔单晶硅片取出，用蒸馏水清洗，然后放入乙醇中浸泡10-20分钟取出，室温下干燥。