| 发明名称 | 场效应晶体管、特别是垂直场效应晶体管、存储单元和制作方法 | ||
| 摘要 | 给出了一种具有单晶控制区(34)的场效应晶体管的解释。该场效应晶体管(37)提供了用于电路设计的自由度，并且可以通过简单的方式制作。 | ||
| 申请公布号 | CN1868063A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200480030422.8 | 申请日期 | 2004.09.16 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | H·图斯 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 顾珊;魏军 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管(37)具有沟道区(24)，具有导电沟道连接区(25、30)，邻接于沟道区(24)，具有与沟道区(24)邻接的晶体管电介质(22)，并且具有通过晶体管电介质(22)与沟道区(24)分离的控制区(34)，其特征在于，控制区(34)由单晶材料制造。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||