使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法

摘要

提供了一种制造用于调整电流量的晶体管器件的方法，其中，该器件具有肖特基势垒金属源极—漏极接触。在一个实施例中，该方法在形成金属源极—漏极接触之前采用各向同性蚀刻工艺，以对相对于沟道区域的肖特基势垒结位置提供更好的控制。对于肖特基势垒10结位置的可控制性的改进使得驱动电流增加和器件性能优化，从而显著改进可制造性。

主权项

1.一种制造用于调整电流量的器件的方法，该方法包括：制备半导体衬底；在所述半导体衬底上制备栅极电极；在接近于所述栅极电极的区域内暴露所述半导体衬底；使用局部各向同性蚀刻将所述半导体衬底蚀刻在所述暴露区域上；在所述半导体衬底的蚀刻区域内沉积金属薄膜；以及，金属和所述衬底反应，以形成肖特基或类肖特基源极电极或漏极电极。