| 发明名称 | 薄膜的分离方法 | ||
| 摘要 | 一种通过向基片中注入离子来制造半导体材料薄膜的方法，所述基片包括至少两种不同元素，其中一种元素至少可以通过与其自身或与杂质结合形成气相，所述方法包括如下步骤：(1)用离子轰击基片的一个表面，以便注入足够浓度的非气体重物种的离子，用于在基片中建立一个包含有由该基片的元素形成的气相的微孔洞层；(2)将该基片的该表面与一个加固件紧密接触；和(3)通过应用热处理和/或分离应力，在微孔洞层处引发断裂。 | ||
| 申请公布号 | CN1866474A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200610082448.8 | 申请日期 | 2006.05.19 |
| 申请人 | 原子能委员会 | 发明人 | 奥莱利·陶泽 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/265(2006.01);B28D5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭思宇 |
| 主权项 | 1.一种通过向基片中注入离子来制造半导体材料薄膜的方法，所述基片包括至少两种不同元素，其中一种元素至少可以通过与其自身或与杂质结合形成气相，所述方法包括如下步骤：(1)用离子轰击基片的一个表面，以便注入足够浓度的非气体重物种的离子，用于在基片中建立一个包含有由该基片的元素形成的气相的微孔洞层；(2)将该基片的该表面与一个加固件紧密接触；和(3)通过应用热处理和/或分离应力，在微孔洞层处引发断裂。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||