| 发明名称 | 金属－碳化硅欧姆接触的局部退火及其形成的装置 | ||
| 摘要 | 用于半导体装置的接触可以通过以下形成：在碳化硅(SiC)衬底上形成金属，对SiC衬底和金属的界面位置进行退火以因此形成金属－SiC材料，并避免在SiC衬底位置上的退火进而避免形成金属－SiC材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1868036A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200480030245.3 | 申请日期 | 2004.08.12 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | D·B·小斯拉特;J·A·埃蒙德;M·多诺弗里奥 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/263(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;梁永 |
| 主权项 | 1.一种形成用于半导体装置的欧姆接触的方法，包括：在碳化硅(SiC)层上形成金属；和对SiC层和金属的界面位置进行退火因此形成金属-SiC材料，并避免在SiC层上的位置进行退火以避免因此形成金属-SiC材料。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||