光电转换装置及其制造方法和半导体装置

摘要

本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。

主权项

1.一种光电转换装置，包括：衬底之上的第一电极；以及第一电极之上的光电转换层，包括具有一种导电性的第一半导体层、第二半导体层、具有与所述导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分被第一半导体层覆盖。