发明名称 |
薄膜晶体管阵列面板及其方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于保持在单个像素中出现均匀的寄生电容的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括:栅极线,设置在绝缘基底上,并在行方向上延伸且具有栅电极;半导体层,设置在栅电极的上方且与栅电极绝缘;数据线,具有源电极,源电极与半导体层至少部分叠置,数据线在列方向上延伸,与栅极线交叉并与栅极线绝缘;漏电极,与环绕栅电极的源电极相对,并与半导体层至少部分叠置且跨过栅电极;像素电极,设置在所得的结构的上方并与所得的结构绝缘,像素电极电连接到漏电极,并被区域分隔物划分成多个小区域。 |
申请公布号 |
CN1866527A |
申请公布日期 |
2006.11.22 |
申请号 |
CN200610072486.5 |
申请日期 |
2006.04.17 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
白承洙;金东奎;申爱 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郭鸿禧;谭昌驰 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管阵列面板,包括:栅极线,设置在绝缘基底上,并在行方向上延伸,所述栅极线具有栅电极;半导体层,设置在所述栅电极的上方且与所述栅电极绝缘;数据线,具有源电极,所述源电极与所述半导体层至少部分叠置,所述数据线在列方向上延伸,所述数据线与所述栅极线交叉并与所述栅极线绝缘;漏电极,与环绕所述栅电极的所述源电极相对,所述漏电极与所述半导体层至少部分叠置,所述漏电极跨过所述栅电极;像素电极,设置在所述栅极线、所述半导体层和所述数据线的上方并与所述栅极线、所述半导体层和所述数据线绝缘,所述像素电极电连接到所述漏电极,所述像素电极被区域分隔物划分成多个小区域。 |
地址 |
韩国京畿道 |