| 发明名称 | 电镀组合物和电镀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于填充微电子工件(101)的凹陷微结构的电镀组合物和电镀方法，所述工件如具有金属化的半导体晶片。所述电镀组合物可包括铜和硫酸的混合物，其中铜的浓度对硫酸的浓度的比为约0.3至约0.8g/l(克/升溶液)。本发明公开的电镀组合物也可以包括铜和硫酸的混合物，其中当硫酸浓度为约65至约150g/L时铜的浓度接近其溶解度极限。所述电镀组合物也可包括常规的添加剂，如加速剂、抑制剂、卤化物和/或整平剂。本发明公开了用于在功能部件如在半导体工件上形成的沟槽和/或接触孔中电化学沉积导体材料的方法，包括适合在多阳极反应器中使用本发明公开的电镀液的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1867703A | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN200480029839.2 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 塞米图尔公司 | 发明人 | 约翰·L·克洛克;陈林林 |
| 分类号 | C25D5/02(2006.01);C25D5/48(2006.01);C25D5/50(2006.01);C25D3/38(2006.01);H01L21/445(2006.01) | 主分类号 | C25D5/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘慧;杨青 |
| 主权项 | 1.水基电镀组合物，包含：约35到约60g/L的铜；约65到150g/L的硫酸；二醇基抑制剂。 | ||
| 地址 | 美国蒙大拿州 | ||