发明名称 |
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 |
摘要 |
一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以砷化镓单晶片为衬底;2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb=1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶;3)以高纯氩气为溅射气体,其气压为P<SUB>s</SUB>;4)设定溅射生长时的衬底温度为T<SUB>s</SUB>;5)设定溅射生长时的溅射功率为W<SUB>s</SUB>;6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d;7)用上述的生长条件,在一台基压可小于10<SUP>-3</SUP>Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。 |
申请公布号 |
CN1865491A |
申请公布日期 |
2006.11.22 |
申请号 |
CN200510011741.0 |
申请日期 |
2005.05.19 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
彭长涛;陈诺夫;吴金良;尹志冈;杨霏 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01);C23C14/14(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以砷化镓单晶片为衬底;2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb=1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶;3)以高纯氩气为溅射气体,其气压为Ps;4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts;5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws;6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d;7)用上述的生长条件,在一台基压可小于10-3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |