| 发明名称 | 沟道型肖特基整流器 | ||
| 摘要 | 提供了一种肖特基整流器。该肖特基整流器包含：(a)半导体区域，具有第一面和与之相对的第二面，该半导体区域包含与第一面交界的第一传导类型的阴极区域和与第二面交界的第一传导类型的漂移区域，漂移区域具有比阴极区域低的净掺杂浓度；(b)一个或更多的沟道，这些沟道从第二面延伸到半导体区域，并且在半导体区域内限定了一个或更多的台面式晶体管；(c)在沟道的下部与半导体区域交界的绝缘区域；(d)阳极，该阳极(i)在第二面处与半导体区域交界并形成肖特基整流接触，(ii)在沟道上部内与半导体区域交界并形成肖特基整流接触，(iii)在沟道下部与绝缘区域交界。 | ||
| 申请公布号 | CN1286187C | 申请公布日期 | 2006.11.22 |
| 申请号 | CN01815040.3 | 申请日期 | 2001.08.29 |
| 申请人 | 通用半导体公司 | 发明人 | 石甫渊;陈世冠;苏根政;崔炎曼 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01) | 主分类号 | H01L29/872(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种肖特基整流器，包含：半导体区域，具有相对的第一面和第二面，所述半导体区域包含与第一面交界的第一导电类型的阴极区域和与第二面交界的所述第一导电类型的漂移区域，所述漂移区域具有比所述阴极区域更低的净掺杂浓度；一个或多个的沟道，这些沟道从所述的第二面延伸到所述半导体区域内，并在所述半导体区域内限定了一个或多个的凸台；在所述沟道的下部与所述半导体区域交界的绝缘区域；和阳极，该阳极(a)在所述第二面处与所述半导体区域交界并形成肖特基整流接触，(b)在所述沟道上部内与所述半导体区域交界并形成肖特基整流接触，(c)在所述沟道下部与所述绝缘区域交界。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||