| 主权项 |
1.一种画像显示装置,其特征为:具备:外围器,系具有形成有萤光面的第1基板,及与上述第1基板保持间隙而相对配置,同时朝上述萤光面放射电子的复数电子放射源;和支持基板,系配设于上述第1及第2基板间且具有与上述第1基板相对的第1表面、与上述第2基板相对的第2表面,及与上述电子放射源相对的复数电子束通过孔;和复数柱状间隔物,系竖立设置于上述支持基板的第2表面与上述第2基板之间,用以支持作用于第1及第2基板的大气压,上述支持基板具有分别抵接于上述间隔物,并在间隔物的高度方向可弹性变形而所形成的复数高度缓和部,而且各高度缓和部具有与上述间隔物相对且形成于上述第1表面的凹部,及分别形成于上述第2表面且位于上述间隔物周围的复数沟。2.如申请专利范围第1项之画像显示装置,其中,上述凹部具有比上述间隔物抵接于上述支持基板之抵接面的面积更大的面积。3.如申请专利范围第2项之画像显示装置,其中,上述复数沟系与上述凹部相对而形成于上述支持基板的第2表面。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之画像显示装置,其中,上述复数电子束通过孔系在第1方向及与该第1方向垂直相交的第2方向保持间隙排列而形成,且上述各间隔物系设置在排列于上述第2方向的电子束通过孔之间,上述各高度缓和部的沟包括:一对第1沟,系在上述第1方向位于上述间隔物的两侧,同时分别与排列于上述第2方向的电子束通过孔连通;和复数第2沟,系在上述第2方向位于上述间隔物的两侧,同时分别与排列于上述第1方向的电子束通过孔连通。5.如申请专利范围第4项之画像显示装置,其中,在上述第2方向位于上述间隔物两侧的电子束通过孔,系以上述第1方向的长度大于其他电子束通过孔的长度的方式形成。6.如申请专利范围第4项之画像显示装置,其中,上述各高度缓和部的复数沟系以上述间隔物为中心,于上述第1方向及第2方向对称地形成。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之画像显示装置,其中,上述各凹部系藉由半蚀刻形成者。8.一种画像显示装置,其特征为:具备:外围器,系具有形成有萤光面的第1基板,及与上述第1基板保持间隙而相对配置,同时朝上述萤光面放射电子的复数电子放射源;和支持基板,系设置于上述第1及第2基板间,且具有与上述第1基板相对的第1表面、与上述第2基板相对的第2表面,及与上述电子放射源相对的复数电子束通过孔;和复数柱状间隔物,系竖立设置上述支持基板的第2表面与上述第2基板之间,用以支持作用于第1及第2基板的大气压,上述支持基板具有分别抵接于上述间隔物,同时在间隔物的高度方向可弹性变形而所形成的复数高度缓和部,而且各高度缓和部具有与上述间隔物相对且形成于上述第1表面的凹部,在各高度缓和部中,位于上述各间隔物两侧的电子束通过孔,系以大于其他电子束通过孔的方式形成。9.如申请专利范围第8项之画像显示装置,其中,上述复数电子束通过孔系在第1方向及与该第1方向垂直相交的第2方向保持间隙排列而形成,且上述各间隔物系设置在排列于上述第2方向的电子束通过孔之间,在上述第2方向位于上述间隔物两侧的电子束通过孔,系以上述第1方向的长度大于其他电子束通过孔的长度的方式形成。图式简单说明:第1图系本发明之第1实施型态之SED的斜视图。第2图系沿着第1图的线II-II切开之上述SED的斜视图。第3图系放大上述SED来表示之第1方向的剖面图。第4图系放大上述SED来表示之第2方向的剖面图。第5图系表示上述SED之间隔物构体之第2表面侧的平面图。第6图系表示上述间隔物构体之第1表面侧的平面图。第7图系放大上述间隔物构体的一部分来表示的斜视图。第8图系在上述间隔物构体的高度缓和部为变形状态下将上述SED放大显示之第2方向的剖面图。第9图系表示本发明之第2实施型态之SED的间隔物构体的平面图。第10图系表示本发明之第3实施型态之SED的间隔物构体的平面图。第11图系表示本发明之第4实施型态之SED的间隔物构体的平面图。 |
