| 主权项 |
1.一种形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上;转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层;形成一埋藏扩散区于该底材内;形成一第二介电层于该底材上;回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层;蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠;形成浅沟渠隔离于该沟渠;转移一浮置闸极图案至该第一介电层与该第二介电层;移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层;移除该曝露之垫介电层以暴露出该底材;形成一隧穿氧化层于该底材暴露出的部份;形成一第一导体层于该隧穿氧化层与该底材上;平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离;形成一闸间介电层该第一导体层与该浅沟渠隔离上;及形成一第二导体层于该闸间介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一导体层包含一多晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一介电层包含一氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第二介电层包含一二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该埋藏扩散区系以离子布植与热退火制程形成。6.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该浅沟渠隔离系藉由填入一高密度电浆氧化层于该沟渠中形成。7.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一导体层系以化学机械研磨法平坦化。8.如申请专利范围第1项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一导体层与该第二导体层包含一多晶矽层。9.一种形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上;转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层;形成一埋藏扩散区于该底材内;形成一第二介电层于该底材上;回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层;蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠;形成一氧化物层于该沟渠中与该底材上;平坦化该氧化物层以暴露出该第一介电层与该第二介电层;转移一浮置闸极图案至该第一介电层与该第二介电层;移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层;移除该曝露之垫介电层以暴露出该底材;形成一隧穿氧化层于该底材暴露出的部份;形成一第一导体层于该隧穿氧化层与该底材上;平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离;形成一闸间介电层该第一导体层与该浅沟渠隔离上;及形成一第二导体层于该闸间介电层上。10.如申请专利范围第9项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一导体层与该第二导体层包含一多晶矽层。11.如申请专利范围第9项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一介电层包含一氮化矽层。12.如申请专利范围第9项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第二介电层包含一二氧化矽层。13.如申请专利范围第9项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该埋藏扩散区系以离子布植与热退火制程形成。14.如申请专利范围第9项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该氧化物层包含一高密度电浆氧化层。15.如申请专利范围第9项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一导体层与该氧化物层系以化学机械研磨法平坦化。16.一种形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一矽底材,该矽底材具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上;转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层;以离子布植与快速热退火制程形成一埋藏扩散区于该矽底材内;形成一第二介电层于该矽底材上;回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层;蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠;形成一氧化物层于该沟渠中与该矽底材上;平坦化该氧化物层以暴露出该第一介电层与该第二介电层;转移一浮置闸极图案至该第一介电层与该第二介电层;移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层;移除该曝露之垫介电层以暴露出该矽底材;形成一隧穿氧化层于该矽底材暴露出的部份;形成一第一导体层于该隧穿氧化层与该矽底材上;平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离;形成一氧化物-氮化物-氧化物层该第一导体层与该浅沟渠隔离上;及形成一第二导体层于该氧化物-氮化物-氧化物层上。17.如申请专利范围第16项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一导体层与该第二导体层包含一多晶矽层。18.如申请专利范围第16项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第一介电层包含一氮化矽层。19.如申请专利范围第16项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该第二介电层包含一二氧化矽层。20.如申请专利范围第16项所述之形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法,其中上述之该氧化物层包含一高密度电浆氧化层。图式简单说明:第一A图显示一具有一垫介电层、一介电层于其上之底材;第一B图显示显示介电层接着被蚀刻以暴露出垫介电层并形成埋藏扩散区于底材的结果;第一C图显示介电层形成于底材上接着回蚀刻以暴露出埋藏扩散区的结果;第一D图显示蚀刻曝露之埋藏扩散区以形成沟渠的结果;第一E图显示以氧化物层填入沟渠以形成浅沟渠隔离于底材内并对浅沟渠隔离氧化物层进行化学机械研磨平坦化以暴露出介电层的结果;第一F图显示蚀刻介电层以形成一浮置闸极图案的结果;第一G图显示移除介电层及垫介电层以暴露出底材的结果;第一H图显示依序形成隧穿介电层与导体层于曝露之底材上接着以化学机械研磨法平坦化以暴露出介电层与浅沟渠隔离的结果;及第一I图显示依序一闸间介电层与一导体层形成于第一H图所示之结构的结果。 |
