发明名称 光学装置之结构及制造其之方法
摘要 提出一种光学装置之结构及制造其之方法。该结构包含:一光散射层,其由于外来热能而产生奈米粒子;一保护层,保护该光散射层;及一罩盖层,放置在该光散射层与该保护层之间。该光散射层系由氮化物-氧化物所形成,所以能隙增大使得该结构适合于高速电子电路,并能轻易获得所期待的理想配比。而且,该罩盖层防止结晶失配,如此可抑制元素的不均匀性,而维持理想配比状态。结果,能轻易地具体实施高度积体高速电子电路,其在均匀性及可再现性上表现优越。
申请公布号 TWI266912 申请公布日期 2006.11.21
申请号 TW094123388 申请日期 2005.07.11
申请人 电子通信研究院 发明人 金相侠;金基出;金惠珍
分类号 G02B6/132(2006.01) 主分类号 G02B6/132(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种光学装置之结构,其包含:一光散射层,其因外来热能而产生奈米粒子;一保护层,其保护该光散射层;及一罩盖层,放置在该光散射层与该保护层之间。2.如请求项1之结构,其中系使用一具有预定功率之雷射来提供热能。3.如请求项1之结构,其中该光散射层系由氮化物-氧化物所形成,该氮化物-氧化物为(MN)1-xOx(M=Si、Ta、W、Zn、Be、Li、Al)。4.如请求项1之结构,其中该罩盖层系由下列诸物:M1-y((SiNO)x)y、M1-y(Zn1-xOx)y、M1-y(Al1-xOx)y及M1-y(Ga1-x Nx)y组成之群中选出其一所形成,该群中诸物系由下列诸物:Si、Ta、W、Zn、Be、Li及Al组成之群中选出其一物与其掺杂。5.如请求项1之结构,其中该保护层系由氧化物或氮化物其中之一所形成。6.如请求项5之结构,其中该氧化物为Zn1-xOx或Al1-xOx其中之一,而该氮化物为SiN或Ga1-xNx其中之一。7.一种制造光学装置结构之方法,其包含:藉由沉积氧化物或氮化物其中之一,而在一基板上形成一第一保护层;藉由沉积一由下列诸物:Si、Ta、W、Zn、Be、Li及Al组成之群中选出其一所掺杂的材料,而在该第一保护层上形成一第一罩盖层;藉由沉积氮化物-氧化物,而在该第一罩盖层上形成一光散射层;藉由沉积一材料,该材料系与由下列诸物:Si、Ta、W、Zn、Be、Li及Al组成之群中选出其一物与其掺杂,而在该光散射层上形成一第二罩盖层;热处理所获得的结构,使得奈米粒子能够生成;及藉由沉积氧化物或氮化物其中之一,而在该第二罩盖层上形成一第二保护层。8.如请求项7之方法,其中该用以形成第一及第二保护层之氧化物为Zn1-x Ox或Al1-xOx其中之一,而该用以形成第一及第二保护层之氮化物为SiN或Ga1-xNx其中之一。9.如请求项7之方法,其中该材料系为M1-y((SiNO)x)y、M1-y(Zn1-xOx)y、M1-y(Al1-xOx)y及M1-y(Ga1-xNx)y其中之一,且该材料系与由下列诸物:Si、Ta、W、Zn、Be、Li及Al组成之群中选出其一物与其掺杂。10.如请求项7之方法,其中该氮化物-氧化物系为(MN)1-xOx(M=Si、Ta、W、Zn、Be、Li、Al)。11.如请求项7之方法,其中该热处理系在氮气、氧气及氩气所组成的大气中,以约200至850℃之温度施行。12.如请求项7之方法,其中该第一保护层直到该第二保护层的形成系现场施行。图式简单说明:图1为依据本发明一具体实施例之一光学装置之结构的截面视图;以及图2为一流程图,阐明制造依据本发明一具体实施例之一光学装置之结构的示范操作。
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