发明名称 微影投影设备,装置制造方法及所制造之装置
摘要 在原位置清洁用于一微影投影设备内之光学元件,可以藉由以具有少于250 nm(奈米)波长之UV(紫外线)或EUV(超紫外线)辐射,照射内含光学元件之设备内空间而完成,此空间中含有分子氧。一般而言,空间将以内含除了通常之净化气体物件外之少量分子氧之净化气体洗净。本技术亦可藉由注入低压分子氧于空间内而用于一撤空空间。本技术优点为避免使用诸如臭氧之不稳定材料。
申请公布号 TWI266960 申请公布日期 2006.11.21
申请号 TW091133501 申请日期 2002.11.15
申请人 ASML公司 发明人 威廉 凡 沙伊克;巴斯帝安 马西亚斯 莫顿斯;汉斯 美林;诺柏特斯 贝尼迪特斯 可斯特
分类号 G03F7/20(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种微影投影设备,包含:一辐射系统,用以供应具有250 nm(奈米)或更短波长之电磁辐射投影光束;一支撑结构,用以支撑图案装置,此图案装置用以成形根据一期望图案之投影光束;一基材台面,用以盛置一基材;一投影系统,用以投影成形光束至基材之标的部位;以及一气体供应源,用以供应净化气体至一该装置内之空间中,该空间内含一经定位而与投影光束交互作用之光学元件,其中该净化气体包含总分压力自110-4 Pa至1 Pa之分子氧。2.根据申请专利范围第1项之设备,其中该净化气体另外包含最好为氦气、氩气、氮气或其混合体之惰性气体,而其中存于该净化气体内之分子氧总量,自1 ppb至10 ppm之容积。3.根据申请专利范围第1项之设备,其中该空间大体上被撤空。4.根据申请专利范围第1项之设备,其中设备另外包含额外供应之电磁辐射,其具有250 nm或更短之波长,同时经排置而供应此一辐射至该光学元件上。5.一种装置制造方法,包含之步骤为:提供一至少局部被一层辐射感应材料盖住之基材;提供一具有250 nm或更短波长之电磁辐射投影光束;使用图案装置给予投影光束一图案剖面;投影成形之辐射光束至该层辐射感应材料之标的部位;以及藉由用该投影光束照射一内含与投影光束交互作用之该光学元件之空间、同时供应内含总分压力自110-4 Pa至1 Pa之分子氧之净化气体至该空间内以清洁用于设备中之光学元件。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中净化气体另外包含一最好为氦气、氩气、氮气或其混合体之惰性气体,而其中存于该净化气体内之分子氧总量,为自1 ppb至10 ppm之容积量。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中该空间大体上被撤空。8.根据申请专利范围第5项之方法,另外包含步骤为:供应另一具有250 nm或更短波长之电磁辐射光束;以及以该另一电磁辐射光束照射该光学元件,同时投影该成形之辐射光束至该标的部位上。图式简单说明:图1描述一根据本发明之微影投影设备;图2描述一部分之本发明一实施例之照明系统;以及图3描述一部分之本发明另一实施例之照明系统。
地址 荷兰