| 主权项 |
1.一种肖特基屏障二极体,其特征为具备:化合物半导体基板;设在该基板上方的一种导电型离子植入区域;设成邻接在前述离子植入区域的一种导电型高浓度离子植入区域;和前述高浓度离子植入区域形成欧姆接合的第1电极;和前述离子植入区域形成肖特基接合的第2电极;和成为前述第1及第2电极之输出的金属层。2.一种肖特基屏障二极体,其特征为具备:化合物半导体基板;设在该基板上方,一种平坦的导电型离子植入区域;邻接在前述离子植入区域且装设成比前述离子植入区域更深的一种导电型高浓度离子植入区域;在前述高浓度离子植入区域表面欧姆接合的第1电极;被前述第1电极包围外周且和前述离子植入区域形成肖特基接合的第2电极;和当作前述第1及第2电极之输出的金属层。3.如申请专利范围第1项或第2项之肖特基屏障二极体,其中,前述化合物半导体基板为无参杂GaAs基板。4.如申请专利范围第1项或第2项之肖特基屏障二极体,其中,前述第2电极和前述高浓度离子植入区域之间隔距离为5m以下。5.如申请专利范围第1项或第2项之肖特基屏障二极体,其中,设多数个前述第2电极形成的肖特基接合区域。6.如申请专利范围第1项或第2项之肖特基屏障二极体,其中,前述高浓度离子植入区域设成超出前述第1电极。7.一种肖特基屏障二极体之制造方法,其中具备:在平坦的化合物半导体基板表面形成一种导电型离子植入区域,且形成邻接在前述离子植入区域之一种导电型高浓度离子植入区域之步骤;形成在前述高浓度离子植入区域表面欧姆接合的第1电极之步骤;形成和前述离子植入区域表面形成肖特基接合的第2电极之步骤;和形成分别和前述第1电极及第2电极接触的金属层之步骤。8.一种肖特基屏障二极体之制造方法,其中具备:在平坦的无参杂化合物半导体基板表面形成一种导电型离子植入区域,且在预定的第1电极下方,在和前述离子植入区域邻接的前述基板表面形成一种导电型高浓度离子植入区域之步骤;形成在前述高浓度离子植入区域表面欧姆接合的第1电极之步骤;形成被前述第1电极包围外周,且和前述离子植入区域表面形成肖特基接合的第2电极之步骤;和形成分别和前述第1电极及第2电极接触的金属层之步骤。9.如申请专利范围第7项或第8项之肖特基屏障二极体之制造方法,其中,前述第2电极系顺序淀积Ti/Pt/Au之多层金属层而形成。图式简单说明:第1图为说明本发明半导体装置之剖视图。第2图为说明本发明半导体装置之俯视图。第3图为说明本发明半导体装置之俯视图。第4图为说明本发明半导体装置之俯视图。第5图为说明本发明半导体装置制造方法之剖视图。第6图为说明本发明半导体装置制造方法之剖视图。第7图(A)及(B)为说明本发明半导体装置制造方法之剖视图。第8图为说明本发明半导体装置制造方法之剖视图。第9图为说明习知之半导体装置之剖视图。第10图为说明习知之半导体装置之俯视图。第11图为说明习知之半导体装置制造方法之剖视图。第12图为说明习知之半导体装置制造方法之剖视图。第13图为说明习知之半导体装置制造方法之剖视图。第14图为说明习知之半导体装置制造方法之剖视图。第15图为说明习知之半导体装置制造方法之剖视图。 |
