| 主权项 |
1.一种被处理物之乾蚀刻方法,其特征在于:系藉由反应气体所产生之电浆来进行蚀刻,该反应气体含有氯气与化学式CxHyClz(x、y、z为正整数)所代表的化合物气体。2.如申请专利范围第1项之被处理物之乾蚀刻方法,其中,化学式CxHyClz所代表的化合物为氯仿。3.如申请专利范围第1项之被处理物之乾蚀刻方法,其中,化学式CxHyClz所代表的化合物为二氯甲烷。4.如申请专利范围第1-3项中任一项之被处理物之乾蚀刻方法,其中,该被处理物系氮化镓系化合物半导体或铝氧化物。5.一种氮化镓系化合物半导体之制造方法,其特征在于:系藉由反应气体所产生之电浆来进行蚀刻,该反应气体含有氯气与化学式CxHyClz(x、y、z为正整数)所代表的化合物气体。6.一种乾蚀刻装置,其特征在于,系具备:a)至少对任一者输入高频电力之上部电极及下部电极;b)用来将高频电力输入电极之高频电源;以及c)在反应室内供给反应气体之原料气体源,该反应气体含有氯气与化学式CxHyClz(x、y、z为正整数)所代表的化合物气体。图式简单说明:图1系概略显示实验用的元件基板之截面构成。图2系显示实验用的电浆蚀刻装置之概略构成图。图3系显示藉由实施例1的处理所得之蚀刻面的SEM影像。图4系显示藉由实施例2的处理所得之蚀刻面的SEM影像。图5系图4之蓝宝石基板部之过蚀刻状态的扩大SEM影像。 |
