| 主权项 |
1.一种以电浆处理一工件之装置,包含:一真空腔室,其具有一腔室底及一腔室盖,该腔室盖相对于该腔室底可在一关闭位置及一开放位置间移动,该关闭位置界定一处理空间,该开放位置系用以传送一工件进入与离开该处理空间,该腔室盖包含一第一侧壁部分,该第一侧壁部分能被移离开该腔室盖以用来改变该真空腔室之一垂直尺寸;一真空接口,其位于该真空腔室中用来抽吸该处理空间;一工件握持器,其位于该处理空间内;一处理气体供应接口,其位于该真空腔室内用于导引一处理气体进入该处理空间;及一电浆激发源,其可作动地从该处理气体供应一电浆于该处理空间中。2.如请求项1的该装置,其中该腔室盖进一步包含一电浆空腔,且该电浆激发源包含一功率电极及一接地板,该接地板具有复数个位于该电浆空腔与该处理空间之间的开口,其阻止该电浆中离子的至少一部份从该电浆空腔至该处理空间之传送,且允许该电浆中自由基的至少一部份从该电浆空腔至该处理空间之传送。3.如请求项2的该装置,其中该腔室盖进一步包括一顶板部分,且进一步包含一第二侧壁,其与该腔室底密封接合,该第一侧壁部分系为于该顶板部分与该第二侧壁部分之间。4.如请求项3的该装置,进一步包含一导引器,其进一步将该第一侧壁部分与该第二侧壁部分对齐。5.如请求项4的该装置,其中该导引器进一步将该第二侧壁部分与该顶板部分对齐。6.如请求项3的该装置,进一步包含一导引器,用以将该第一侧壁部分与该顶板部分对齐。7.如请求项1的该装置,其中该电浆激发源包含一第一功率电极,该第一功率电极为包含该工件握持器之一总成的部分。8.如请求项1的该装置,进一步包含:一装载台,其被设定用来在该腔室盖在该开启位置时,引导该工件至该工件握持器;及一退出台,其被设定用来在该腔室盖在该开启位置时,自该工件握持器移除该工件。9.如请求项1的该装置,其中该腔室盖进一步包含该处理气体供应接口,及用于分配该处理气体之复数个通道,该处理气体从该处理气体供应接口被接收至该电浆空腔。10.如请求项9的该装置,其中该电浆激发源包含位于该电浆空腔内的一功率电极,及位于该功率电极与该腔室盖之间的一电极绝缘器,且该等复数个通道包含复数个邻近于该电极绝缘器的出口,其发散该处理气体,该处理气体系围绕该电极绝缘器之一外周围及该功率电极之一外周围而渗出,以便实质上均匀地分配进该电浆空腔内。11.一种以自由基处理一工件的装置,该等自由基来自于包含离子与该等自由基的一发光电浆,该装置包含:一真空腔室,其包含一处理空间及与该处理空间相连通之一电浆空腔;一工件握持器,位于该处理空间中;一真空接口,其位于该真空腔室中,该真空接口被调适为抽吸该处理空间及该电浆空腔;一处理气体供应接口,其位于该真空腔室中,该处理气体供应接口被调适为引进一处理气体到至少一个该等电浆空腔;及一电浆激发源,其能够在该电浆空腔内激发该处理气体以产生该电浆,该电浆激发源包含位于该电浆空腔及该处理空间之间的一接地板,该接地板能阻止该电浆中离子的至少一部份从该电浆空腔至该处理空间的传送,该接地板具有复数个开口,该等开口被设定为自该电浆空腔传送该电浆中该等自由基的至少一部份至该处理空间,该等开口被设定为阻挡从该电浆空腔至该处理空间之直线路径,以减少从该电浆至该工件的光传送。12.如请求项11的该装置,其中该等开口为狭缝,且该接地板包含复数个具狭缝之板,每一个该具狭缝之板具有复数个狭缝,该等具狭缝之板被配置为实质上消灭从该电浆空腔至该处理空间之直接的直线路径。13.如请求项12的该装置,其中该等具狭缝之板的一第一具狭缝之板包含复数个第一狭缝,且该等具狭缝之板的一第二具狭缝之板包含复数个第二狭缝,该等第一狭缝系偏离该等第二狭缝,以使得该等第一狭缝在从该电浆空腔至该处理空间延伸的一方向上,不与该等第二狭缝对齐。14.如请求项13的该装置,其中该电浆激发源进一步包含:复数个导电之分隔器,该等分隔器在从该电浆空腔至该处理空间延伸的该方向上,分隔该第二具狭缝之板与该第一具狭缝之板。15.如请求项13的该装置,其中该等具狭缝之板的一第三具狭缝之板包含复数个第三狭缝,该第二具狭缝之板被配置在该等第一及第三具狭缝之板之间,且该等第三狭缝在从该电浆空腔至该处理空间延伸的该方向上,系偏离该等第二狭缝。16.如请求项11的该装置,其中该真空腔室包含一腔室盖,且该电浆空腔系位于该腔室盖之内。17.如请求项16的该装置,其中该腔室盖系在开启及关闭位置间可移动,用以允许该工件引进或移除该工件握持器,且该腔室盖承载该接地板。18.如请求项16的该装置,其中该腔室盖进一步包括与该电浆空腔以流体通连耦合之该处理气体供应接口。19.如请求项18的该装置,其中该腔室盖进一步包含用于分配该处理气体的复数个通道,该处理气体从该处理气体供应接口被接收至该电浆空腔,且该电浆激发源包含位于该功率电极与腔室盖之间的一电极绝缘器,且该等复数个通道包含复数个邻近于该电极绝缘器的出口,其发散该处理气体,该处理气体系围绕该电极绝缘器之一外周围及该功率电极之一外周围而渗出,以便实质上均匀地分配进该电浆空腔内。20.如请求项16项的该装置,进一步包含:一装载台,其被配置为与该真空腔室同轴,该装载台被设定用来在该腔室盖在该开启位置时,引导该工件至该工件握持器;及一退出台,其被配置为与该真空腔室及该装载台同轴,该退出台被设定用来在该腔室盖在该开启位置时,自该工件握持器移除该工件。21.一种在具有一电浆空腔及一处理空间之一真空腔室内处理一工件的方法,该方法包含:产生一电浆,该电浆包含离子及自由基,其来自该电浆空腔内的一处理气体;自该电浆空腔内的该电浆发出光线;从该电浆空腔传送该电浆内的自由基至该处理空间;阻止该电浆内该等离子之至少一部份从该电浆空腔至该处理空间之传送;实质地阻挡从该电浆空腔至该处理空间之该光的传送;及以该等自由基在该处理空间内处理该工件。22.如请求项21项的该方法,其中实质上阻挡该光的传送包含:经由一第一组狭缝,于该电浆空腔内从该电浆传送光;及以一第二组狭缝阻挡该被传送的光,该第二组狭缝偏离该第一组狭缝,故该等第一狭缝在从该电浆空腔至该处理腔室延伸的一方向上,非与该等第二狭缝对齐。23.一种电浆处理一工件的方法,该工件具有一厚度及在一真空腔室之一处理空间中的一暴露表面,该真空腔室具有一腔室盖及位于该腔室盖中的一处理电极,该方法包含:调整该腔室盖之一体积,以根据该工件之该厚度变化从该工件之该暴露表面至该处理电极之距离;放置一工件于该处理空间中;及暴露该工件之该暴露表面予该电浆。24.如请求项23项的该方法,其中该调整体积进一步包含:从该腔室盖移除至少一侧壁部分。25.如请求项23项的该方法,其中该调整体积进一步包含:加入至少一侧壁部分至该腔室盖。图式简单说明:图1:为依据本发明原理之一种电浆处理系统之立视图;图2A:为图1所示电浆处理系统之侧向示意图及局部透视图;图2B:为图1所示电浆处理系统之侧向示意图及局部透视图,其中气室盖片位于闭合位置;图2C:为图1所示电浆处理系统之详细侧视图;图3:为图1所示电浆处理系统之前视图;图4:为图1所示电浆处理系统之控制系统的示意方块图;图5:为采用图4所示控制系统之电浆处理循环制程的流程图;图6:为依据本发明原理另一实施例之基板撑架的侧视图;图7:为图6所示基板撑架之局部前视图;图8:为依据本发明原理之电浆室的顶视图;图9:为大致沿着图8之切线9-9的剖面图;图10:为大致沿着图9之切线10-10的剖面图;图11:为图10之局部详细视图;图12:为图8-11之电浆室的分解视图;图13:为用于图8-12之电浆室的接地板片另一实施例之立视图;图14:为用于图8-12之电浆室的接地板片另一实施例之立视图;图15:为依据本发明原理相似于图9之电浆室另一实施例的剖面图;图15A:为图15之局部详细视图;图16:为相似于图15之电浆室之图10的剖面图;图17:为图16之局部详细视图;及图18:为图15-17之电浆室的分解视图。 |
