| 主权项 |
1.一种方法,其系使载持于固体载剂之色素分子经多光子离子化的方法;其特征为在载持色素分子所成的载持物上,照射具有低于1毫微秒之脉冲宽度的雷射光。2.如申请专利范围第1项之方法,其中具有低于1毫微秒之脉冲宽度的雷射为微微(10-12)秒雷射、或毫微微(10-15)秒雷射。3.如申请专利范围第2项之方法,其中毫微微秒雷射系选自钛.蓝宝石雷射、纤维雷射、镱.钨雷射。4.如申请专利范围第1项之方法,其中多光子离子化为三光子离子化以上。5.如申请专利范围第1项之方法,其中色素分子之电离势为5eV以上。6.如申请专利范围第5项之方法,其中色素分子之电离势为10eV以下。7.如申请专利范围第1项之方法,其中色素分子为具有藉由多光子离子化改变为阳离子游离基,以吸收带之改变为基准而着色,藉由电荷再结合而褪色之可逆特性的色素分子。8.如申请专利范围第7项之方法,其系照射具有比基底状态之色素分子的吸收带更长波长之波长的雷射光。9.如申请专利范围第8项之方法,其系照射具有530-1600nm之波长的雷射光。10.如申请专利范围第1项之方法,其中固体载剂为高分子物质。11.如申请专利范围第10项之方法,其中高分子物质为具有电子亲和性官能基而成。12.如申请专利范围第11项之方法,其中电子亲和性官能基为至少一种选自羰基、羧基、酯基、氰基、醯亚胺基、硝基、羟基。13.如申请专利范围第1项之方法,其中在固体载剂上,尚载持电子接受体而成。14.如申请专利范围第1项之方法,其中多光子离子化为同时多光子离子化。15.如申请专利范围第14项之方法,其中多光子离子化为同时四光子离子化。16.一种光记录系统,其系藉由多光子离子化光致色彩性之光记录系统;其特征为至少具备具有藉由多光子离子化改变为阳离子游离基,以吸收带之改变为基准而着色,藉由电荷再结合而褪色之可逆特性的色素分子载持于固体载剂之载持物、与雷射所成,于该载持物上照射具有比基底状态之色素分子的吸收带更长波长之波长的雷射光,藉由三光子离子化以上之多光子离子化生成色素分子的阳离子游离基,利用阳离子游离基之可逆的着色与褪色,进行记录.消除。17.如申请专利范围第16项之光记录系统,其中雷射为毫微微秒雷射。18.如申请专利范围第17项之光记录系统,其中毫微微秒雷射系选自钛.蓝宝石雷射、纤维雷射、镱.钨雷射。19.一种光记录媒体,其特征为由具有藉由多光子离子化改变为阳离子游离基,以吸收带之改变为基准着色,藉由电荷再结合而褪色之可逆特性的色素分子载持于固体载剂而成之载持物所成,使用于申请专利范围第16项之藉由多光子离子化光致色彩性的光记录系统。图式简单说明:图1为实施例中使用之色素分子的化学结构式。图2为实施例中铸造薄膜用聚合物之化学结构式。图3为实施例中使用之色素分子的基底状态之吸收光谱、与使用之雷射种类与波长的关系图。图4为实施例中测定电荷再结合发光所使用之光子计数系统的方块图。图5为实施例中使用毫微秒脉冲雷射时之藉由离子化观测的吸收光谱。图6为使用微微秒脉冲雷射时之离子化的机构图。图7为藉由同时二光子过程之离子化的机构图。图8为藉由同时多光子过程(同时四光子过程)之离子化的机构图。图9为TMB/PBMA铸造薄膜之发射电子的空间分布图。图10为依脉冲宽度之不同离子化的机构相异图。图11为使用各种雷射时之阳离子游离基生成量、与电子接受体之存在浓度的关系图。图12为使用毫微秒脉冲雷射时之离子化的机构图。图13为使用超短脉冲雷射时之离子化的机构图。图14为高分子媒体之种类与电荷再结合发光量之关系图。图15为四光子离子化之Pe/PMMA整体试料的升温前后之吸收光谱。图16为就藉由施加电场消除光记录之基础检讨的结果。图17为电场对电荷再结合之影响的示意流程图。图18为一光子过程之能量图。图19为二光子过程之能量图。图20为藉由阶段式二光子过程之离子化的机构图。 |
