| 主权项 |
1.一种矩阵式发光二极体,其包含有:一基板;一电路层,设于该基板,该电路层设有至少一正极与至少一负极;一反射盖,设于该电路层,该反射盖设有复数开口,该开口系矩阵排列;复数发光二极体晶片,分别设置于每一该开口,每一该发光二极体晶片皆具有一正极与一负极,该发光二极体晶片之该正极与该负极与该电路层之该正极和该负极,电性相接;至少一正极接脚,穿设过该基板并与该电路层之该正极电性连接;以及至少一负极接脚,穿设过该基板并与该电路层之该负极电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,其中该基板可为一金属基板。3.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,其中该基板更设有一装配孔,该装配孔可装配一散热体。4.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,其中该基板与该电路层更设有复数孔洞,该反射盖相对于每一该孔洞则设有一柱体,该柱体之下部直径系大于上部直径,该柱体设于该孔洞。5.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,其中该电路层相对于每一该开口之位置更设有一穿孔,而该基板相对于每一该开口之位置则分别设有一凹槽,该发光二极体晶片设置于该凹槽。6.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,其中该电路层更设有至少一连接电极,其系位于该电路层之该正极与该负极间,供该发光二极体晶片相串接。7.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,更包含有一透镜模组,其系封盖该反射盖以及该发光二极体晶片。8.如申请专利范围第7项所述之矩阵式发光二极体,其中该透镜模组包含复数透镜,每一该透镜系相对于每一该发光二极体晶片。9.如申请专利范围第1项所述之矩阵式发光二极体,其中该基板更穿设有复数中空绝缘柱,该正极接脚与该负极接脚分别穿设于该中空绝缘柱。10.一种矩阵式发光二极体之制造方法,包含有下列步骤:提供一基板;设置一电路层于该基板,该电路层设有至少一正极与至少一负极;设置一反射盖于该电路层,该反射盖设有复数孔洞,该开口系矩阵式排列;设置复数发光二极体晶片于该反射盖之该开口,每一该发光二极体晶片皆具有一正极与一负极,该发光二极体晶片之该正极与该负极与该电路层之该正极和该负极,电性相接;以及设置至少一正极接脚与至少一负极接脚于该基板,该正极接脚与该负极接脚分别与该电路层之该正极与该负极电性相接。11.如申请专利范围第10项所述之矩阵式发光二极体之制造方法,其中于提供一基板之步骤中,更包含有一步骤,其系设置一装配孔于该基板,该装配孔可装配一散热体。12.如申请专利范围第10项所述之矩阵式发光二极体之制造方法,其中于设置一电路层于该基板之步骤中,该电路层更设置有至少一连接电极于该正极与该负极间,供该发光二极体晶片相串接。13.如申请专利范围第10项所述之矩阵式发光二极体之制造方法,其中于设置一反射盖于该电路层之步骤中,更包含有一步骤,其系穿设复数绝缘柱于该基板,供该正极接脚与该负极接脚穿设。14.如申请专利范围第10项所述之矩阵式发光二极体之制造方法,其中于设置一反射盖于该电路层之步骤中,更包含有下列步骤:设置复数孔洞于该电路层与该基板;以及设置复数柱体于该反射盖,该柱体之下部直径系大于上部直径,该柱体设于该孔洞。15.如申请专利范围第10项所述之矩阵式发光二极体之制造方法,其中于设置复数发光二极体晶片于该反射盖之该开口的步骤前,更包含有下列步骤:设置复数穿孔于该电路层,每一该穿孔相对于每一该开口;以及设置复数凹槽于该基板,每一该凹槽相对于每一该开口,该发光二极体晶片设置于该凹槽。16.如申请专利范围第10项所述之矩阵式发光二极体之制造方法,其中于设置至少一正极接脚与至少一负极接脚于该基板之步骤后,更包含有一步骤,其系设置一透镜模组于该反射盖,封盖该发光二极体晶片。图式简单说明:第一图为本发明较佳实施例之立体图;第二图为本发明较佳实施例之分解图;第三A图为本发明之电路层设于基板之上视图;第三B图为第三A图之A-A方向的剖视图;第四A图为本发明之电路层、反射盖设于基板之上视图;第四B图为第四A图之B-B方向的剖视图;第四C图为本发明之发光二极体晶片设置于第四A图之上视图;第五图为本发明另一实施例之电路层设置正极与负极之上视图;第六A图为本发明又一实施例之电路层设于基板的上视图;第六B图为第六A图之C-C方向的剖视图;以及第七图为本发明较佳实施例之流程图。 |
