| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:形成在基板预定部分之上的电容器;藉由堆叠可流动绝缘层和未掺杂矽酸盐玻璃层,形成在含有基板和电容器的结果基板结构上之绝缘层;及形成在绝缘层上之金属相互连接线。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中可流动绝缘层系形成在结果结构上,而未掺杂矽酸盐玻璃层则形成在可流动绝缘层上。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中未掺杂矽酸盐玻璃层系形成在含有电容器之结果结构上,而可流动绝缘层则形成在未掺杂矽酸盐玻璃层上。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中可流动绝缘层系藉由采用将液体源材料涂着在旋转的基板上,然后基板再施以热处理之旋布介电质法得到。5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中可流动绝缘层系藉由采用将液体源材料涂着在旋转的基板上,然后再施以热处理之旋布介电质法得到。6.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中可流动绝缘层系藉由使用四氢化矽(SiH4)和过氧化氢(H2O2)之反应源的低压化学气相沉积法得到。7.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中可流动绝缘层系藉由使用四氢化矽(SiH4)和过氧化氢(H2O2)之反应源的低压化学气相沉积法得到。8.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中液体源材料系氢三氧二矽烷(HSQ)和甲基三氧二矽烷(MSQ)其中之一。9.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中液体源材料系HSQ和MSQ其中之一。10.一种半导体装置的制造方法,包含下列步骤:在基板的预定部分之上形成电容器;藉由在含有基板和电容器的结果基板结构上,堆叠可流动绝缘层和未掺杂矽酸盐玻璃层,形成绝缘层;及在绝缘层上形成金属连接线。11.如申请专利范围第10项之方法,其中形成绝缘层之步骤包含下列步骤:在结果基板结构上形成厚度小于电容器的高度之可流动绝缘层;藉由执行电浆加强化学气相沉积法,在可流动绝缘层上形成未掺杂矽酸盐玻璃层;及平坦化未掺杂矽酸盐玻璃层和可流动绝缘层。12.如申请专利范围第10项之方法,其中形成绝缘层之步骤包含下列步骤:藉由执行电浆加强化学气相沉积法,在结果基板结构上形成厚度小于电容器的高度之未掺杂矽酸盐玻璃层;在未掺杂矽酸盐玻璃层上,形成可流动绝缘层;及平坦化未掺杂矽酸盐玻璃层和可流动绝缘层。13.如申请专利范围第10项之方法,其中形成绝缘层之步骤包含下列步骤:藉由执行电浆加强化学气相沉积法,在结果基板结构上形成厚度较厚于电容器的高度之未掺杂矽酸盐玻璃层;平坦化未掺杂矽酸盐玻璃层;及在已平坦化的未掺杂矽酸盐玻璃层上形成可流动绝缘层。14.如申请专利范围第10项之方法,其中形成可流动绝缘层之步骤包含下列步骤:用选择自氢三氧二矽烷(HSQ)和甲基三氧二矽烷(MSQ)之液体源材料,藉由旋转基板,以薄层形式涂着在基板上;及对涂着的薄层执行热处理过程。15.如申请专利范围第10项之方法,其中形成可流动绝缘层之步骤包含下列步骤:藉由使用四氢化矽(SiH4)和过氧化氢(H2O2)之反应源的低压化学气相沉积法,沉积薄层;及对薄层执行热处理过程。16.如申请专利范围第14项之方法,其中热处理系藉由采用炉热处理过程和快速热处理过程其中之一,在选择自由氧气(O2)、臭氧(O3)、氮气(N2)、一氧化二氮(N2O)及氢气(H2)和氧气(O2)的混合气体所组成之群组的气氛中进行。17.如申请专利范围第10项之方法,其中平坦化制程系藉由蚀刻制程和研磨制程其中之一执行。18.如申请专利范围第15项之方法,其中热处理系藉由采用炉热处理过程和快速热处理过程其中之一,在选择自由氧气(O2)、臭氧(O3)、氮气(N2)、一氧化二氮(N2O)及氢气(H2)和氧气(O2)的混合气体所组成之群组的气氛中进行。图式简单说明:第1A图和第1B图为用以在动态随机存取记忆体(DRAM)元件之电容器上,形成绝缘层之传统方法的横截面图;第1C图为当执行传统方法用以在电容器上形成绝缘层时,所发生之问题的横截面图;第2图为根据本发明第一实施例,在电容器上形成绝缘层之横截面图;第3图为根据本发明第二实施例,在电容器上形成绝缘层之横截面图;及第4图为根据本发明第三实施例,在电容器上形成绝缘层之横截面图。 |
