| 主权项 |
1.一种半导体装置,系以使半导体基板上所形成之金属层露出的方式,从基板背面形成开口部,并经由此开口部,使配线层连接于上述金属层而组成,其特征为具备用来监视上述开口部的形成状态之监视开口部。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述监视开口部系形成于切割线上。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在上述监视开口部的下方,未配置金属层。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在上述监视开口部的下方,系设置与上述金属层为同一层所组成,且用来观察开口径之监视图案。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,上述监视图案为矩形图案。6.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中,上述监视图案为圆形、十字形、菱形所构成之图案。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在上述配线层上形成导电端子,而上述配线层,系藉由形成于被覆该配线层之保护层之开口部而露出。8.一种半导体装置之制造方法,系以使半导体基板上所形成之金属层露出的方式,从基板背面形成开口部,并经由此开口部,使配线层连接于上述金属层而组成,其特征为形成用来监视上述开口部的形成状态之监视开口部。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,上述监视开口部系形成于切割线上。10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,系以在上述监视开口部的下方未配置金属层的方式形成金属层。11.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,在上述监视开口部的下方,系形成与上述金属层为同一层所组成,且用来观察开口径之监视图案。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中,上述监视图案为矩形图案。13.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中,上述监视图案为圆形、十字形、菱形所构成之图案。14.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,在上述配线层上形成导电端子,而上述配线层,系藉由形成于被覆该配线层之保护层之开口部而露出。图式简单说明:第1图系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第2图系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第3图(a)及(b)系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第4图系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第5图系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第6图系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第7图系显示本发明的实施形态之半导体装置之制造方法的剖面图。第8图系显示习知的半导体装置之制造方法的剖面图。第9图系显示习知的半导体装置之制造方法的剖面图。第10图系显示习知的半导体装置之制造方法的剖面图。第11图系显示用来说明习知的课题之半导体装置之制造中途的剖面图。 |
